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Présentation des produits
Référence Digi-Key C2M0080120D-ND
Quantité disponible 6 275
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

C2M0080120D

Description MOSFET N-CH 1200V 31.6A TO247
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques C2M0080120D
Note(s) d’application SiC MOSFET Isolated Gate Driver
Produit représenté Cree - Silicon Carbide Power MOSFETs
SpeedFit™ Online Simulator
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Cree/Wolfspeed

Série C2M™
Conditionnement ? En vrac ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Carbure de silicium (SiC)
Tension drain-source (Vdss) 1200V (1,2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 36A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 98 mOhms à 20A, 20V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 5mA
Charge de porte (Qg) à Vgs 62nC à 5V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 950pF à 1000V
Puissance max. 192W
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-247-3
Boîtier fournisseur TO-247-3
 
Le produit qui assorti
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 30

02:26:01 12/6/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 15,72000 15,72
100 15,11790 1 511,79
500 14,73594 7 367,97

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