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Référence Digi-Key C2M0080120D-ND
Quantité disponible 5 333
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

C2M0080120D

Description MOSFET N-CH 1200V 31.6A TO247
Description étendue N-Channel 1200V (1.2kV) 36A (Tc) 192W (Tc) Through Hole TO-247-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques C2M0080120D
Note(s) d’application SiC MOSFET Isolated Gate Driver
Produit représenté Cree - Silicon Carbide Power MOSFETs
SpeedFit™ Online Simulator
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Catégories
Fabricant

Cree/Wolfspeed

Série C2M™
Conditionnement ? En vrac ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss) 1200V (1,2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 36 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 20V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 5 mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 62 nC à 5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 950 pF à 1000 V
Vgs (max.) +25V, -10V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 192 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 98 mOhms à 20 A, 20 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-247-3
Boîtier TO-247-3
 
Le produit qui assorti
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 30

14:04:24 2/22/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 15,56000 15,56
100 14,96560 1 496,56
500 14,58750 7 293,75

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