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Référence Digi-Key C2M0025120D-ND
Quantité disponible 2 579
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

C2M0025120D

Description MOSFET N-CH 1200V 90A TO-247
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques C2M0025120D
Produit représenté Cree - Silicon Carbide Power MOSFETs
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Cree/Wolfspeed

Série Z-FET™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Carbure de silicium (SiC)
Tension drain-source (Vdss) 1200V (1,2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 90A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 34 mOhms à 50A, 20V
Vgs(th) (max.) à Id 2,4V à 10mA
Charge de porte (Qg) à Vgs 161nC à 20V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 2788pF à 1000V
Puissance max. 463W
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-247-3
Boîtier fournisseur TO-247-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 30

11:51:21 12/6/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 65,83000 65,83
100 63,30090 6 330,09
500 61,71410 30 857,05

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