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Présentation des produits
Référence Digi-Key 785-1517-5-ND
Quantité disponible 1 229
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

AOTF11S65L

Description MOSFET N-CH 650V 11A TO220F
Description étendue N-Channel 650V 11A (Tc) 31W (Tc) Through Hole TO-220-3F
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 16 semaines
Documents et supports
Fiches techniques AOx(F)11S65
TO220F Pkg Drawing
Autre(s) document(s) connexe(s) AOS Green Policy
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Catégories
Fabricant

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Série aMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 11 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 13,2 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 646 pF à 100 V
Vgs (max.) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 31 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 399 mOhms à 5,5 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220-3F
Boîtier Boîtier complet TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1 000
Autres Noms AOTF11S65L-ND

14:09:43 2/24/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,97000 1,97
10 1,77800 17,78
25 1,58720 39,68
100 1,42840 142,84
250 1,26968 317,42
500 1,11098 555,49
1 000 0,92053 920,53
2 500 0,85704 2 142,61
5 000 0,82530 4 126,51

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